- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機(jī)
- 涂布機(jī)
- 等離子清洗機(jī)
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機(jī)
- 快速退火爐
- 晶體生長(zhǎng)爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機(jī)
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機(jī)
- 真空手套箱
- 真空熱壓機(jī)
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計(jì)
- 真空法蘭
- 混料機(jī)設(shè)備
- UV光固機(jī)
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
鍍膜儀配有兩路高精度質(zhì)量流量計(jì)，客戶若另有需求可以定制至多四路質(zhì)量流量計(jì)的氣路，以滿足復(fù)雜的氣體環(huán)境構(gòu)建需求；儀器標(biāo)配先進(jìn)的渦輪分子泵組，極限真空可達(dá)1.0E-5Pa，同時(shí)另有其他類型的分子泵可供選購(gòu)。分子泵的氣路由多個(gè)電磁閥控制，可以實(shí)現(xiàn)在不關(guān)泵的情況下打開腔體取出樣品，大大提高了您的工作效率。本產(chǎn)品可以選配一體機(jī)工控電腦對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行控制，在電腦程序上可以實(shí)現(xiàn)真空泵組的控制、濺射電源的控制等絕大多數(shù)功能，可以進(jìn)一步提高您的實(shí)驗(yàn)效率。
三靶磁控鍍膜儀應(yīng)用范圍：
該設(shè)備可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。該三靶磁控濺射鍍膜儀與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點(diǎn)，是一款實(shí)驗(yàn)室制備材料薄膜的理想設(shè)備。三靶磁控鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：
|
項(xiàng)目 |
明細(xì) |
|
|
產(chǎn)品型號(hào) |
CY-MSH325X-III-DCDCRF-SS |
|
|
供電電壓 |
AC220V，50Hz |
|
|
整機(jī)功率 |
6KW |
|
|
系統(tǒng)真空 |
≦5×10-4Pa |
|
|
樣品臺(tái) |
外形尺寸 |
φ150mm |
|
加熱溫度 |
≦750℃ |
|
|
控溫精度 |
±1℃ |
|
|
可調(diào)轉(zhuǎn)速 |
≦20rpm |
|
|
磁控靶槍 |
靶材尺寸 |
直徑Φ50.8mm，厚度≦3mm |
|
冷卻模式 |
循環(huán)水冷 |
|
|
水流大小 |
不小于10L/Min |
|
|
靶槍數(shù)量 |
3 |
|
|
真空腔體 |
腔體尺寸 |
直徑φ325mm，高度600mm |
|
腔體材質(zhì) |
SUU304不銹鋼 |
|
|
觀察窗口 |
直徑φ100mm |
|
|
開啟方式 |
前面開啟 |
|
|
氣體控制 |
1路質(zhì)量流量計(jì)用于控制Ar流量，量程為:200SCCM |
|
|
真空系統(tǒng) |
配分子泵系統(tǒng)1套，氣體抽速600L/S |
|
|
膜厚測(cè)量 |
可選配石英晶體膜厚儀，分辨率0.10 ? |
|
|
濺射電源 |
直流電源功率500W*2，射頻電源功率300Ｗ |
|
|
控制系統(tǒng) |
CYKY自研專業(yè)級(jí)控制系統(tǒng) |
|
|
真空計(jì) |
電阻規(guī)真空計(jì) |
|
|
設(shè)備尺寸 |
1090mm×900mm×1250mm |
|
|
設(shè)備重量 |
350kg |
|
