- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉管式爐
- PECVD氣相沉積系統
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束,激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區域提純爐
- 微波燒結爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環境模擬試驗設備
- 實驗室產品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產品
真空熔煉爐由爐蓋、爐體、氣氛控制系統、真空系統、IGBT 電源、控制系統、水冷系統、工作臺、電控系統等組成 ,爐體、氣氛控制系統、電控系統和水冷系統等組成部分都安裝在設備臺架上,使整個設備成為一體,爐架下安裝有水平調節輪、不但可以自由的拖動,并有調節水平的功能。
1、爐體:為全304不銹鋼結構,氬弧焊焊接。爐殼采用雙層水冷結構,保證爐殼溫度不超過40℃。爐蓋采用前開門結構,爐蓋打開方式為手動,并加有鎖緊裝置,爐蓋上設有觀察孔,方便觀察爐內情況。爐體上安裝有進出氣口、與水冷機連接的進出水口和安裝有連接爐體內澆注裝置的進出水管。
2、爐架:由型鋼鋼板組焊成柜架結構,爐體安置在爐架上。
3、溫控系統(選購測溫元件時):溫控系統是由測溫系統,溫控儀表組成,爐體上配有紅外測溫儀,把紅外測溫儀輸出的1-5V信號通過控溫儀表轉換為溫度信號,控溫儀表可以控制感應爐的輸出功率,這樣形成一個閉合回路,可以對爐子的升溫進行編程控制,可以進行50段程序控溫,控溫精度準確,升溫速率可調,并可以進行恒溫,以方便控制澆鑄時的溫度控制。
應用范圍 :
廣泛應用于大專院校及科研單位等在真空或保護氣氛條件下晶體的生長。
詳細技術參數:
型號
CYKY-IMC-1
zui大熔煉重量(按鐵液計算)
1KG
zui高加熱溫度
1900度
高頻加熱電源
采用電源
高頻感應電源
振蕩頻率
30-80KHZ
zui大輸入功率
25KW
加熱電流
2-50A
冷卻水要求
≥0.2MPa ≥6L/分
電源重量
35KG
負載持續率
100%
輸入電壓
三相380V 50或60HZ
加熱方式
感應加熱
腔體真空度(分子泵機組)
< 8X10 -4Pa
腔體充氣壓力
< 0.05MPa
升壓率
<4Pa/小時
控制精度
+/- 1~ 5 ℃(600度以上)
真空機組
機組輸入電壓
380V /220V
波紋管
KF40X1000
真空擋板閥
KF40
前機真空泵FX-32
功率
1.2KW
電壓
380V
轉速
1450rpm
進氣口徑
KF40
前機泵抽氣速率(L/S)
8
極限壓強
4X10 -2Pa
復合真空計
復合真空計型號
ZDF
電源
220V 55W
控制精度
± 1%
真空計測量范圍
10-5 -10 5 Pa
二級泵
為分子泵
(方案一)
分子泵
(可以把腔體真空度抽到6X10E-4Pa)
分子泵型號
FJ620
輸入電壓
220V
分子泵進氣口法蘭
DN160
分子泵抽氣速率L/S(對空氣)
600
分子泵極限壓強(Pa)
6×10-7
冷卻方式
水冷
冷卻水壓(MPa)
0.1-0.2
冷卻水溫度
<25℃
環境溫度
0~40℃
建議啟動壓強
<100Pa
二級泵為擴散泵
(方案二)
擴散泵
可以把腔體真空度抽到5X10E-3Pa)
電壓
220V
功率
1000W
極限真空度(在無泄露時)
10E-5Pa
進氣接口
DN150
出氣接口
DN40
注入油量
0.3L
抽氣速率(N2)
1000L/S
水冷機(選購)
型號
HZ-03A
*大揚程
38M
制冷量
7.224*103kcal/h
水箱容量
60L
制冷量
4420Kcal/h
輸入總功率
3.2KW
出入水口
Rp1/2’’
機器尺寸
520X1150X1145(長X寬X高)